WSR4N65F
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：39W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 650V |
| 功率耗散: | 39W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD. |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 封装/外壳: | TO-220F |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 2.3pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 10.2nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 栅极电荷(Qg): | 10.2nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.8386 |
| 10+ | ¥2.2572 |
| 50+ | ¥1.8041 |
| 包装：1 | 库存：50 |