WSR4N65F
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：39W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 功率耗散: | 39W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 额定功率: | 39W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 2.6Ω@10V,3.5A |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 10.31 x 4.67mm |
| 封装/外壳: | TO-220F |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 550pF |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 认证信息: | RoHS |
| 栅极电荷(Qg): | 10.2nC@10V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 应用: | Consumer |
| 类型: | 1个N沟道 |