WSR4N65F

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):39W

物料参数

安装类型:插件
功率耗散:39W
阈值电压:3V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD.
额定功率:39W
包装:Tube packing
连续漏极电流:4A
封装/外壳:TO-220F
反向传输电容Crss:2.3pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:10.2nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
输入电容:550pF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):650V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):10.2nC@10V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.8386
10+¥2.2572
50+¥1.8041
包装:1 库存:50