AP4435C

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):3.7W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:ALLPOWER
阈值电压:-2.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,10A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:10A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SO-8
元件生命周期:Active
工作温度:+150℃
配置:单路
输入电容:1.55nF
Vgs(Max):±20V
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):30nC
零件状态:Active
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.4224
10+¥0.3894
30+¥0.3828
100+¥0.3630
包装:1 库存:0