AP4435C
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | -30V |
| 功率耗散: | 3.7W |
| 阈值电压: | -2.5V |
| 额定功率: | 3.7W |
| 原始制造商: | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 16mΩ@10V,10A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 10A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO-8 |
| 反向传输电容Crss: | 278pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 30nC |
| 高度: | 1.75mm |