NCE0102
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 100V |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 额定功率: | 1.25W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 240mΩ@10V,1A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 2A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 13pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 260mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 5.2nC |
| 高度: | 1.02mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.3265 |
| 包装：1 | 库存：95 |