AO4614BL
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
封装/外壳：8-SOIC FET类型：N+P-Channel 工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：6A (Ta),5A (Ta)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | No |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压Vgs(th): | 3V |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 6,5A |
| 包装: | Tape/reel |
| FET类型: | N + P Channel |
| 存储温度: | -55~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOP8_150MIL |
| 漏极电流Idss: | 6A |
| 充电电量: | 10.8nC |
| 配置: | Dual |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 30毫欧@6A，10V |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 10.8nC@10V |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 功率(Max): | 2W |
| 导通电阻Rds On(Max): | 30mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃ |