SI3442CDV

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
击穿电压:30V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.5A
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP-6
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):13nC
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0