BSH103

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:-
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.3A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
输入电容:335pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):4.5nC
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin