NCEP40T13GU

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:40V
阈值电压:2.2V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:130A
封装/外壳:DFN-8(5x6)
输入电容(Ci):3.99nF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):40V
导通电阻(RDS(on):2.3mΩ@10V
栅极电荷(Qg):70nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.3950
10+¥2.6362
30+¥2.2932
100+¥1.8814
500+¥1.6942
1000+¥1.5840
包装:1 库存:890
价格梯度 价格
1+¥3.0370
包装:1 库存:5