NCEP40T13GU

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:40V
阈值电压:2.2V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:130A
封装/外壳:DFN-8(5x6)
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:57pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:40nC
配置:单路
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):40V
导通电阻(RDS(on):2.3mΩ@10V
栅极电荷(Qg):70nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥4.5144
10+¥3.4749
1000+¥2.0691
2000+¥2.0484
5000+¥2.0074
包装:1 库存:2491
价格梯度 价格
1+¥3.0370
包装:1 库存:5