AONR21321

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 24A(Tc) 4.1W(Ta),24W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:24W
阈值电压:2.3V@250μA
原始制造商:Alpha & Omega Semiconductor, Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:24A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN-8(3x3)
栅极源极击穿电压:±25V
反向传输电容Crss:155pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:America
额定电压:30 V
Vgs(Max):±25V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):34nC
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.1320
50+¥0.8927
1000+¥0.6623
包装:5 库存:644