AONR21321
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 24A(Tc) 4.1W(Ta),24W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 24W |
| 阈值电压: | 2.3V@250μA |
| 原始制造商: | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 24A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | DFN-8(3x3) |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 反向传输电容Crss: | 155pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| 额定电压: | 30 V |
| Vgs(Max): | ±25V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 34nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.1320 |
| 50+ | ¥0.8927 |
| 1000+ | ¥0.6623 |
| 包装:5 | 库存:644 |