WSD50P10ADN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):104W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
功率耗散:104W
额定功率:104W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):81mΩ
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:40A
长x宽/尺寸:5.85 X 5.40mm
封装/外壳:DFN8_5X6MM
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:75nC
配置:单路
输入电容:2.59nF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100KV
栅极电荷(Qg):75nC
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥3.5100
30+¥3.3800
100+¥3.1200
500+¥2.8600
1000+¥2.7300
包装:1 库存:5010