SSM3K7002F

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
击穿电压:60V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:250mA
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:0.4nC
配置:单路
输入电容:25pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):0.6nC
高度:1.12mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.2720
10+¥0.2550
50+¥0.2295
150+¥0.2125
300+¥0.2006
500+¥0.1955
包装:1 库存:0