CES2362
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.09W |
| 阈值电压: | 3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China Taiwan |
| 连续漏极电流: | 3.1A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 输入电容(Ci): | 180pF |
| 反向传输电容Crss: | 13pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 2.1nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 导通电阻(RDS(on): | 86mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 6.1nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0848 |
| 10+ | ¥1.0170 |
| 50+ | ¥0.9153 |
| 150+ | ¥0.8475 |
| 300+ | ¥0.8000 |
| 500+ | ¥0.7797 |
| 包装：1 | 库存：0 |