MMBT3904W
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晶体管 > 通用三极管
描述
功率(Pd)：150mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN NPN
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 额定功率: | 200mW |
| Vce饱和压降: | 300mV |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 40V |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): | 40V |
| 跃迁频率: | 300MHz |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极电流 Ic: | 200mA |
| 原产国家: | China |
| 特征频率(fT): | 300MHz |
| 高度: | 0.90mm |
| 零件状态: | Active |
| DC电流增益(hFE): | 100 |
| 晶体管类型: | NPN |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 50+ | ¥0.0994 |
| 包装：50 | 库存：190 |