NCE4060K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):65W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:60A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:190pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):29nC
高度:2.30mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.2020
50+¥0.8053
500+¥0.5907
1000+¥0.5510
包装:5 库存:2946
价格梯度 价格
1+¥0.5488
包装:1 库存:50