NCE10TD60BD

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
600V,10A,沟槽式FS II l快速IGBT

物料参数

安装类型:SMT
正向电流:10A
功率耗散:83W
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO:600V
关断延迟时间:20ns
Vce饱和压降:1.7V
包装:Tape/reel
脉冲电流-集电极(Icm):30A
集射极击穿电压Vceo:600V
正向压降VF:1.5V
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:10.36 x 9.02mm
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
工作温度:-55℃~+150℃
集电极电流 Ic:20A
最小包装:800pcs
栅极电荷(Qg):44nC
高度:4.64mm
栅极-射极电压VGE:±30V
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥3.0960
10+¥2.9160
30+¥2.5560
100+¥2.2860
500+¥2.1060
1000+¥1.9800
包装:1 库存:0