NCE10TD60BD

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
600V,10A,沟槽式FS II l快速IGBT

物料参数

正向电流:10A
安装类型:SMT
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO:600V
关断延迟时间:20ns
Vce饱和压降:1.7V
包装:Tape/reel
集射极击穿电压Vce(Max):600V
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:10.36 x 9.02mm
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
反向恢复电荷:0.5nC
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极电压 VCEO:600V
集电极电流 Ic:20A
正向压降VF TYP:1.5V
原产国家:China
开通延迟时间:73ns
栅极电荷(Qg):44nC
栅极-射极电压VGE:±30V
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥2.9160
10+¥2.6460
30+¥2.4660
100+¥2.1960
500+¥2.0700
1000+¥1.9800
包装:1 库存:0