PMN50XP

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:2W
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP-6
反向传输电容Crss:63pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:5.1nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):15nC
高度:1.10mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0