DMG1012T-7

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=800mA RDS(ON)=180mΩ@4.5V SOT523

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:20V
功率耗散:280mW
原始制造商:Tech Public Electronics Co.,Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:800mA
长x宽/尺寸:1.60 x 0.80mm
封装/外壳:SOT-523-3
工作温度:+150℃(TJ)
充电电量:0.74nC
Vgs(Max):±6V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):400mΩ@600mA,4.5V
栅极电荷(Qg):0.74nC
高度:0.75mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.3513
包装:1 库存:0