NCE40P05Y

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:2W
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.3A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23-3
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:70pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:14nC
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):14nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
10+¥0.3000
100+¥0.2350
1000+¥0.2100
3000+¥0.2050
6000+¥0.1900
9000+¥0.1818
包装:10 库存:6397
价格梯度 价格
1+¥0.3500
包装:1 库存:2