WSF50P04

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
功率耗散:80W
阈值电压:1.5V@250μA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,12A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:40A
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:72nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):12mΩ
输入电容:2.96nF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):72nC
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道