SPT15N65T1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/15A沟槽场阻IGBT
物料参数
| 正向电流: | 30A |
| 安装类型: | 插件 |
| 关断损耗: | 0.1mJ |
| 功率耗散: | 27W |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
| 包装: | Tube packing |
| Vce饱和压降: | 1.65V |
| 跃迁频率: | - |
| 导通损耗: | 0.75mJ |
| 封装/外壳: | TO220MF |
| 工作温度: | -40℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 最小包装: | 30pcs |
| 高度: | 19.35mm |
| DC电流增益(hFE): | - |
| 晶体管类型: | FS(场截止) |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.9900 |
| 10+ | ¥2.7600 |
| 30+ | ¥2.7140 |
| 包装：1 | 库存：0 |