AO4406AL

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
30V N沟道MOSFET SOIC8 ID=13A PD=3.1W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:AOS
击穿电压:30V
功率耗散:3.1W
阈值电压:1.9V
原始制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,12A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:13A
封装/外壳:SOIC-8
反向传输电容Crss:70pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
输入电容:910pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):17nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin