PJM16P12DF
品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：16A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | PJ |
| 功率耗散: | 8W |
| 阈值电压: | 700mV |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 16A |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 2.00mm |
| 封装/外壳: | DFN2X2-6L |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 2.7nF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | 35nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 12V |
| 导通电阻(RDS(on): | 16mΩ@4.5V |
| 栅极电荷(Qg): | 35nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5594 |
| 20+ | ¥0.5089 |
| 100+ | ¥0.4583 |
| 500+ | ¥0.4078 |
| 1000+ | ¥0.3842 |
| 2000+ | ¥0.3673 |
| 包装：5 | 库存：0 |