SPT25N120U1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

安装类型:插件
正向电流:50A
关断损耗:0.65mJ
关断延迟时间:297ns
包装:Tube packing
Vce饱和压降:2.05V
跃迁频率:-
集射极击穿电压Vceo:1.2KV
封装/外壳:TO-247-3
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
最小包装:30pcs
开通延迟时间:62ns
栅极电荷(Qg):137nC@15V
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):-
晶体管类型:FS(场截止)
价格梯度 价格
1+¥7.1500
10+¥6.6000
30+¥6.4900
包装:1 库存:0