AOD468
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 技术路线: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散: | 150W |
| 阈值电压: | 4.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 11.5A |
| 封装/外壳: | D-PAK |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 栅极源极击穿电压: | ±30V |
| 输入电容(Ci): | 790pF@25V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| Vgs(Max): | ±30V |
| 漏源电压(Vdss): | 300V |
| 栅极电荷(Qg): | 16nC@10V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.0478 |
| 10+ | ¥2.6852 |
| 包装：1 | 库存：35 |