AO6801A

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.14W
阈值电压:2V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.6A
封装/外壳:TSOP-6
反向传输电容Crss:33pF
输入电容(Ci):210pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:5.2nC
配置:双路
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):8nC
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0