AO6801A

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:20V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:3.6A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP-6
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:双路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):8nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0