NCE70T360F

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11.5A 功率(Pd):32.6W

物料参数

安装类型:插件
功率耗散:32.6W
阈值电压:3.5V
额定功率:32.6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ
包装:Tube packing
连续漏极电流:11.5A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TO-220F
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:19nC
配置:单路
输入电容:870pF
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):700V
栅极电荷(Qg):19nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥2.9160
10+¥2.8080
100+¥2.4840
500+¥2.4192
包装:1 库存:0