TDM3205
品牌
TECHCODE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=9.9mΩ@1.8V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | -25A |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 4.2W |
| 阈值电压: | 700mV |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 25A |
| 长x宽/尺寸: | 3.30 x 3.30mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 反向传输电容Crss: | 810pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 5.35nF |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 9.9MΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 54nC |
| 高度: | 0.80mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.2400 |
| 10+ | ¥2.0650 |
| 30+ | ¥2.0300 |
| 包装：1 | 库存：30 |