AP4008QD
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 21W |
| 阈值电压: | 1.6V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 反向传输电容Crss: | 72pF@20V |
| 输入电容(Ci): | 1.05nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 导通电阻(RDS(on): | 17mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 11nC |
| 高度: | 0.78mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 类型: | 2个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.6277 |
| 50+ | ¥0.5784 |
| 150+ | ¥0.5562 |
| 500+ | ¥0.5350 |
| 包装：5 | 库存：2213 |