AP4008QD

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
2个N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
阈值电压:1.6V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,10A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:20A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:72pF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):11nC
高度:0.78mm
零件状态:Active
晶体管类型:2个N沟道(双)
价格梯度 价格
5+¥0.5902
50+¥0.5382
1000+¥0.4927
2000+¥0.3111
包装:5 库存:2263