VBA1615
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 阈值电压Vgs(th): | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 8A |
| 漏源导通电阻 RDS(on): | 15mΩ |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 60V |
| FET类型: | N-Channel |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 55pF |
| 充电电量: | 21nC |
| 配置: | Single |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 功率(Max): | 5W（TC） |
| 导通电阻Rds On(Max): | 15mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃(TJ) |
| 引脚数: | 8Pin |