TDM3452

品牌
TECHCODE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A RDS(ON)=5.1mΩ@4.5V DFN5X6-8

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):23.5A
击穿电压:30V
功率耗散:2.5W
阈值电压:2.4V
极性:N-沟道
连续漏极电流:80A
长x宽/尺寸:5.30 x 6.20mm
封装/外壳:DFN-8(5x6)
反向传输电容Crss:60pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):1.345nF
工作温度:+150℃(TJ)
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):3.1mΩ@10V
栅极电荷(Qg):9.2nC
高度:1.20mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道
无库存