UF640L-TN3-R
品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 200 |
| 功率耗散: | 83W |
| 阈值电压: | 4V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 18A |
| 长x宽/尺寸: | 6.80 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 反向传输电容Crss: | 46 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20 |
| 输入电容(Ci): | 805pF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±20 |
| 漏源电压(Vdss): | 200V |
| 导通电阻(RDS(on): | 180mΩ@10V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.1668 |
| 包装：1 | 库存：55 |