7N65G-TN3-R
品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：125W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 650 |
| 功率耗散: | 55W |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 7A |
| 长x宽/尺寸: | 6.80 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 反向传输电容Crss: | 4.2 |
| 栅极源极击穿电压: | ±30 |
| 输入电容(Ci): | 990pF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±30 |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 导通电阻(RDS(on): | - |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.9876 |
| 10+ | ¥2.4010 |
| 30+ | ¥2.1364 |
| 100+ | ¥1.8223 |
| 500+ | ¥1.6745 |
| 1000+ | ¥1.5939 |
| 包装：1 | 库存：2460 |