AP2625GY

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
阈值电压:2V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:3.6A
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSOP-6
栅极源极击穿电压:±12V
输入电容(Ci):210pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:双路
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):8nC
高度:1.10mm
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0