VBA2333
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 阈值电压Vgs(th): | 2V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 4.1A |
| 极性: | P-Channel |
| 漏源导通电阻 RDS(on): | 56mΩ |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 30V |
| FET类型: | P-Channel |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 配置: | Single |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 功率(Max): | 1300mW |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻Rds On(Max): | 56mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃(TJ) |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 1.75mm |
| 引脚数: | 8Pin |