AO4459
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 2.5V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6.5A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 反向传输电容Crss: | 65pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 830pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 46mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 16nC@10V |
| 高度: | 1.65mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8425 |
| 50+ | ¥0.6845 |
| 150+ | ¥0.6074 |
| 500+ | ¥0.5442 |
| 3000+ | ¥0.4323 |
| 6000+ | ¥0.4071 |
| 包装：5 | 库存：2432 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 70+ | ¥0.8196 |
| 200+ | ¥0.6123 |
| 1500+ | ¥0.5564 |
| 3000+ | ¥0.5200 |
| 包装：1 | 库存：30228 |