AP15P03Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 30V 12A DFN3X3
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 900mW |
| 击穿电压: | -30V |
| 阈值电压: | -2.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN3X3 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 通道数: | 1 |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 15nC |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.4928 |
| 50+ | ¥0.4378 |
| 500+ | ¥0.3828 |
| 2000+ | ¥0.2928 |
| 包装：5 | 库存：9644 |