WSD30150DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.4mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):150A
击穿电压:30V
阈值电压:1.7V
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:150A
长x宽/尺寸:4.90 x 5.75mm
封装/外壳:DFN-8(5x6)
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:320pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:26nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):2.4mΩ
高度:1.17mm
晶体管类型:N沟道