AP4606C
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ALLPOWER
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5/-5.8A 功率(Pd)：15W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 700mV |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.2A,3A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO-8 |
| 输入电容(Ci): | 640pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 37mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 10nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4203 |
| 100+ | ¥0.3455 |
| 300+ | ¥0.3091 |
| 1000+ | ¥0.2791 |
| 4000+ | ¥0.2137 |
| 8000+ | ¥0.2017 |
| 包装：10 | 库存：3293 |