AON7544
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 23W |
| 阈值电压: | 2.2V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 30A |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 3.00mm |
| 封装/外壳: | DFN-8-EP(3x3) |
| 反向传输电容Crss: | 62pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 951pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 5mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 22.5nC |
| 高度: | 0.80mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.7568 |
| 50+ | ¥0.6292 |
| 150+ | ¥0.5653 |
| 500+ | ¥0.5074 |
| 2500+ | ¥0.4871 |
| 5000+ | ¥0.4734 |
| 包装：5 | 库存：1066 |