AON7544

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:2.2V@250μA
原始制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
额定功率:23W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:30A
封装/外壳:DFN8_3X3MM_EP
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:America
输入电容:951pF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):22.5nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7178
50+¥0.5662
150+¥0.4882
包装:5 库存:465