AP2012
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 700mV |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 4.50 x 3.10mm |
| 封装/外壳: | TSSOP-8 |
| 反向传输电容Crss: | 200pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 1.8nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 9.5mΩ@4.5V,5A |
| 栅极电荷(Qg): | 17.9nC |
| 高度: | 1.10mm |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 2个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.4863 |
| 50+ | ¥0.4259 |
| 150+ | ¥0.3973 |
| 包装：5 | 库存：4775 |