AP2012
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 0.7V |
| 原始制造商: | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 4.50 x 3.10mm |
| 封装/外壳: | TSSOP-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 共漏 |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.9nC |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 1.10mm |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5643 |
| 10+ | ¥0.5434 |
| 100+ | ¥0.4932 |
| 500+ | ¥0.4682 |
| 包装：1 | 库存：4805 |