NCE0157A2
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 品牌: | NCE |
| 击穿电压: | 100V |
| 阈值电压: | 4V@250µA |
| 额定功率: | 160W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 17.5mΩ@10V,28A |
| 包装: | Tube packing |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 57A |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 160.2pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 50pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 146.1nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.5665 |
| 30+ | ¥2.4780 |
| 100+ | ¥2.3010 |
| 500+ | ¥2.1240 |
| 1000+ | ¥2.0355 |
| 包装：1 | 库存：30 |