AO5404E

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=700mA RDS(ON)=270mΩ@4.5V SC75A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:400mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:700mA
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:1.57 x 0.76mm
封装/外壳:SOT-416
反向传输电容Crss:11pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.4nC
配置:单路
输入电容:105pF
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):4.1nC
高度:0.80mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.6784
10+¥0.6360
50+¥0.5724
150+¥0.5300
300+¥0.5003
500+¥0.4876
包装:1 库存:0