SI1012CR

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=550mA P=280mW SOT523

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:No
品牌:TECH PUBLIC
漏源电流(Idss):1µA
功率耗散:280mW
阈值电压:0.75V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China Taiwan
连续漏极电流:550mA
长x宽/尺寸:1.70 x 0.90mm
封装/外壳:SOT-523-3
元件生命周期:Active
输入电容(Ci):120pF
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:+150℃
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
零件状态:Active
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.3254
100+¥0.2776
300+¥0.2546
3000+¥0.2126
6000+¥0.1971
9000+¥0.1892
包装:10 库存:3000