SI1012CR

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=550mA P=280mW SOT523

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:No
漏源电流(Idss):1µA
功率耗散:280mW
阈值电压:0.75V
原始制造商:Tech Public Electronics Co.,Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:550mA
封装/外壳:SOT-523-3
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±8V
输入电容(Ci):120pF
工作温度:+150℃
原产国家:China Taiwan
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):280mΩ
零件状态:Active
高度:0.90mm
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.2838
100+¥0.2316
600+¥0.2054
1200+¥0.2023
3000+¥0.1630
包装:10 库存:3000