PJM3401PSA

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs P沟道 30V 4.1A 65mΩ@10V,4.1A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.3V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.1A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
充电电量:8.5nC
配置:单路
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):-
零件状态:Active
高度:1.025mm
晶体管类型:PNP