LR024N
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 2.1W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 16.9A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.73 x 6.22mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 40pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 19.8nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 860pF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 30nC |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.5056 |
| 18+ | ¥2.0064 |
| 包装：1 | 库存：18 |