AO3406

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:30V
功率耗散:1.4W
阈值电压:2.5V
极性:N-沟道
连续漏极电流:3.6A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:23pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):210pF
工作温度:-55℃~+150℃
系列:-
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):50mΩ@10V
栅极电荷(Qg):5nC@10V
高度:1.05mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.6914
50+¥0.5614
150+¥0.4979
500+¥0.4460
包装:5 库存:100
价格梯度 价格
70+¥0.7584
200+¥0.5655
1500+¥0.5148
3000+¥0.4810
包装:1 库存:61251
价格梯度 价格
100+¥0.5046
包装:1 库存:143