WSD30L20DN
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.67W |
| 击穿电压: | 32V |
| 阈值电压: | -1.7V@250uA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 30.5mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.10 x 3.10mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3x3) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 19nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 900pF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0020 |
| 10+ | ¥0.9540 |
| 30+ | ¥0.9444 |
| 包装：1 | 库存：298 |