PJM12P20DF
品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道增强型功率mosfet VDS=20V VGS=±12V ID=12A DFN6_2X2MM_EP
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 4.5W |
| 阈值电压: | 700mV@250μA |
| 原始制造商: | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 2.00mm |
| 封装/外壳: | DFN-6-EP(2x2) |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | 15.3nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 7.5nC |
| 高度: | 0.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 6Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5729 |
| 20+ | ¥0.5224 |
| 100+ | ¥0.4718 |
| 500+ | ¥0.4213 |
| 1000+ | ¥0.3977 |
| 2000+ | ¥0.3808 |
| 包装：5 | 库存：0 |