PJM12P20DF
品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道增强型功率mosfet VDS=20V VGS=±12V ID=12A DFN6_2X2MM_EP
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | PJ |
| 阈值电压: | 700mV@250μA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 封装/外壳: | DFN-6-EP(2x2) |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 231pF@10V |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 510pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 17mΩ@4.5V |
| 栅极电荷(Qg): | 7.5nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5729 |
| 20+ | ¥0.5224 |
| 100+ | ¥0.4718 |
| 500+ | ¥0.4213 |
| 1000+ | ¥0.3977 |
| 2000+ | ¥0.3808 |
| 包装：5 | 库存：0 |