AO3416

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 20V 6.5A SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):6.5A
技术路线:-
击穿电压:20V
阈值电压:1V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:America
连续漏极电流:6.5A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
FET功能:-
Vgs(Max):±8V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):16nC
高度:1.05mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.6390
50+¥0.5191
150+¥0.4585
500+¥0.4044
包装:5 库存:15767
价格梯度 价格
80+¥0.6744
200+¥0.5044
1500+¥0.4589
3000+¥0.4277
包装:1 库存:20698