AP2012S
品牌
ALLPOWER
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 1V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO-8 |
| 反向传输电容Crss: | 200pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 1.8nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 18V |
| 导通电阻(RDS(on): | 9mΩ@4.5V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.9nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.4697 |
| 10+ | ¥0.3838 |
| 30+ | ¥0.3419 |
| 100+ | ¥0.3075 |
| 500+ | ¥0.2800 |
| 1000+ | ¥0.2663 |
| 包装：1 | 库存：3970 |