AP2012S
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 1V |
| 原始制造商: | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SO-8 |
| 输入电容(Ci): | 1.8nF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 200pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 18V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.9nC |
| 零件状态: | Active |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.3821 |
| 100+ | ¥0.3011 |
| 800+ | ¥0.2593 |
| 1600+ | ¥0.2567 |
| 4000+ | ¥0.2516 |
| 包装：10 | 库存：3970 |