AON6298
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 击穿电压: | 100V |
| 功率耗散: | 78W |
| 阈值电压: | 3.4V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 46A |
| 长x宽/尺寸: | 5.55 x 5.20mm |
| 封装/外壳: | DFN-8-EP(5.2x5.6) |
| 反向传输电容Crss: | 8pF@50V |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 1.307nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 导通电阻(RDS(on): | 13.7mΩ@10V,20A |
| 栅极电荷(Qg): | 23nC@10V |
| 高度: | 0.95mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 5Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.7821 |
| 包装：1 | 库存：5 |