AON6298

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
品牌:AOS
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
击穿电压:100V
功率耗散:78W
阈值电压:3.4V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:46A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_5.55X5.2MM_EP
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):1.307nF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
FET功能:-
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):23nC@10V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥5.8297
包装:1 库存:5